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Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB
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Marca

SYSCOM

Modelo

MRF475

Peso

0.01 kg

Clave SAT

32111600

SYSCOM
brand

Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

Modelo: MRF475

SAT: 32111600

Precio Mayorista

MXN $571.90

IVA Incluido · Facturación Disponible

1

Inventario

3 en stock

Garantía

Oficial de Fábrica

Especificaciones

Características Principales

  • Transistor NPN de potencia RF de silicio
  • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
  • Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
  • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
  • Potencia de salida máxima de 10 Watt
Máximos Ratings
  • IC: 4.0 A
  • VCE: 18 V
  • VCB: 48 V
  • PD: 10 W @ TC = 25 °C
  • TSTG: -65 °C to +150 °C
  • TJ: -65 °C to +150 °C
  • θJ-C: 12.5 °C/W
Características Eléctricas
  • BVCEO: 18 V @ IC = 20 mA
  • BVCES: 48 V @ IC = 50 mA
  • BVEBO: 4.0 V @ IE = 5.0 mA
  • ICBO: 1.0 mA @ VCB = 25 V
  • hFE: 30-60 @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA
  • Cob: 125-145 pF @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
  • GP: 10-12 dB
  • η: 40% @ Pout = 12 W (PEP), VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA
  • IMD: -30 dB
Configuración Física
  • Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
  • Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR

Características Técnicas de Fábrica

•Operación hasta 30 MHz para amplificación RF
•Potencia de salida de 10 W con alta eficiencia del 40%
•Ganancia de potencia de 10-12 dB en banda HF
•Paquete TO-220AB con disipación térmica optimizada
•Rango de temperatura operativa -65°C a +150°C
•Configuración emisor común para diseño simplificado

Documentos y Manuales Oficiales

MRF475

PDF

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